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石墨的線脹系數(shù)很低。一個(gè)發(fā)射管的工作頻率只能在經(jīng)過足夠的預(yù)熱時(shí)間以后才能測(cè)出，在這段時(shí)間里，如果材料具有較大的線脹系數(shù)，頻率將發(fā)生偏移。而石墨線脹系數(shù)很小，在高溫中經(jīng)過脫氣后不會(huì)引起這種現(xiàn)象，不會(huì)發(fā)生扭曲變形。石墨電子熱...

水銀整流器和電子管用石墨制品器件的人造石墨材料，采用灰分含量低的細(xì)顆粒焦炭粉末（如瀝青焦、石油焦等）和少量鱗片狀石墨粉，并用瀝青作黏結(jié)劑，經(jīng)混合、磨粉、壓制、焙燒和石墨化等工序而制成。經(jīng)過高溫石墨化處理（2600℃以）的...

化合物半導(dǎo)體用的多晶硅生產(chǎn)。化合物廢氣半導(dǎo)體的原料由元素周期表上Ⅱ~Ⅵ族的元素構(gòu)成，代表性的元素有鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、銦（In）等。化合物半導(dǎo)體單晶與Si單晶有些區(qū)別，一般采用液封CZ拉伸法（EC: Liq...

多晶硅生產(chǎn)用石墨制品硅半導(dǎo)體用的多晶硅生產(chǎn)用石墨制品。當(dāng)今，硅材料是以存儲(chǔ)器為核心的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所使用的主要原料。其生產(chǎn)制造過程中大量使用多晶硅生產(chǎn)用石墨制品。多晶硅的生產(chǎn)工藝為，將純度較高的石英石（SiO2）混以焦炭、木...

化合物半導(dǎo)體液相外延生成用高純石墨制品把拉伸法制造的化合物半導(dǎo)體單晶棒制成硅片，再用液相法在硅片上生長(zhǎng)同種或異種的化合物半導(dǎo)體結(jié)晶層。這個(gè)過程使用的裝置有臥式滑動(dòng)舟型、臥式旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)型、豎式浸漬型等種類。圖2-11所示為臥...

化合物半導(dǎo)體單晶生產(chǎn)用炭素石墨制品化合物半導(dǎo)體單晶制造基本上以CZ法為主由于As、P等元素的蒸氣壓較高，與Si不同而采用加壓拉伸（LEC法），由不同元素組合而成的化合物半導(dǎo)體較多，僅以使用炭素石墨制品較多的GaAs單晶的...

近年來生產(chǎn)單晶硅也趨向大型化，開始拉伸直徑12in的單晶硅。使用的熱區(qū)范圍多在32in左右使用的炭素制品為與石英坩堝相匹配、石墨坩堝外徑約為φ860mm、加熱器約為1000m，其他部件最大的為直徑1500mm隨著大型化，...

單晶硅與多晶硅生成用炭石墨制品單晶硅的生產(chǎn)（CZ拉伸法）制造單晶硅棒的工藝有拉伸法（CZ）和浮游帶區(qū)域精煉法（FZ），CZ法一般使用石墨制品。利用CZ法生產(chǎn)時(shí)，將多晶硅塊料和添加元素（摻雜）裝入石英坩堝，再將石英坩堝置于...

半導(dǎo)體工業(yè)用石墨制品材料的處理未使用過的石墨制品材料發(fā)熱體、保溫罩、托架和籽晶夾、石墨坩鍋等器件，因在機(jī)械加工時(shí)有石墨粉附著在石墨制品材料器件的表面或浸入石墨體氣孔中，也可能有其他雜質(zhì)浸人石黑孔隙中，為了防止在使用中對(duì)半...

用未燃燒的石油焦制成的石墨制品，是二種機(jī)械強(qiáng)度很高的細(xì)粒結(jié)構(gòu)材料，可用于制作電子技術(shù)制品，如排期、薄板、因盤、真空爐和高頻電爐的加熱器、巡熱被、解泰她簽屬的石墨皿、高溫實(shí)驗(yàn)裝置的把持器（夾頭）、熱壓壓模和過濾器等。此種材...