細微圖形尺寸膜層厚度測量方法都有哪些-偉名石墨

薄膜在各種不同介質、半導體和金屬上，廣泛的應用于企業電子技術工業、光學工業和化學發展工業。膜層的厚度以及對于一個器件工作或者通過儀器的性能有很直接的影響。例如，用于硅微型控制電路的介質層的厚度和成分，對半導體工業設計具有一定很大的重要性，這些膜層的厚度將決定系統集成管理電路期間的性能和可靠性。

平面工藝制備的集成電路通常在硅襯底或硅片上具有加熱的二氧化硅絕緣層。 這種薄的二氧化硅介電層最小化了硅襯底的表面態密度，并通過防止結吸收受污染的氣體來穩定硅表面。

如果生產過程中，要測量的膜的厚度，其方法采用它？下面就來具體介紹。存在用于從納米到微米的厚度測量的各種膜的許多方法中，分類是：

（1） 機械法：稱量法、機械探針法、光學工程機械法及磨角染色測微法等。

光學方法：磨角電探針法、電阻法、電容電感法、晶體振蕩法和電子射線法。

（3）的光學方法：光電最大方法（增稠，可變角，可變波長），干涉偏振法，全息方法中，X射線和掃描電子顯微鏡法。

以上分析這些研究方法中以光電法的應用最為普遍，其中不少方法我們可以通過達到納米級的精度。

稱重法可檢測各種膜厚，對大面積膜的測量精度高，量程大，可通過邊緣鍍實現自動健康，因此仍用于真空鍍膜的加工工藝..

機械探針法可與放大器和杠桿被測量電子放大器一起使用，這種方法是繁瑣的具有亞微米和測量的更高的精確度，但需要以檢測膠卷槽。

用光學比較儀于無鍍層基片材料進行分析比較可以直接讀出膜厚，由于企業采用傳統光學杠桿作用放大金融機構，可測出0.1微米的膜厚。線電阻法可鍍細長參考片，參考片的長度、寬度沒有固定，并以中國其他研究方法能夠預測出鍍片膜厚與電阻的反比關系，即可由電阻產生直接影響給出不同厚度，故可邊鍍邊測，有較高的精度。電探針可測出電阻換算出膜厚。

磨角電探針法和磨角染色法是通過磨出小角度來測量的.. 染色或電探針的目的是指示膜和底物之間的分界線。 用于測量PN結的寬度，但精度不高。 電容法測量價質膜，電感法可以測量金屬鍍層..

光電最大的方法是工業上常用的一種方法中，半導體行業可以用來測量氧化膜，氮化硅膜，鐵板的膜，膠乳膜的膜厚度。可變厚度邊緣光電最大鍍法可以測量的邊緣，垂直入射單色光可用于透射測量或反射測量。